第一百零五章 一扇全新的大門被打開了

胡光凡走進這間大會議室，站在主席台上，目光從大家的身上掃過，輕輕的點了點頭。

沈靈月介紹道，「大家好，這是我們的老闆胡光凡先生，大家歡迎！」仟韆仦哾

會議室內響起熱烈的掌聲。

待掌聲提醒，胡光凡開始給大家講話，身影非常的洪亮。

「各位，首先歡迎加入宏達實業這個大集體，若干年之後你們一定會為今天的這個決定而感到高興.....」

慷慨激昂的說了幾分鐘，主要是給大家畫了一個大餅，胡光凡道，「今天，我們的IGBT設計研發團隊正式成立，現在我宣布任命！」

IGBT設計研發中心主任：呂樂！

胡光凡的聲音一落，一位四、五十歲的中年人站了起來。

他就是呂樂，國內IGBT設計研發行業的資深人士，教授級高工，博士學歷，不但有海外留學的經歷，也有在跨國公司工作的經歷，也是宏達實業的第一位博士。

這樣的牛人，為什麼會加入小小的宏達實業呢。

第一是待遇，胡光凡開出了讓他無法抗拒的待遇。第二是發展前景，胡光凡向他描繪了第三代IGBT的讓人心動的發展前景。

設計研發中心副主任兩位，分別是管永豐、餘慶祝。

都是四十幾歲的年紀，都是教授級高工，都具有豐富的工作經驗。

整個設計研發中心下面設立多個研發小組，各位小組長由呂樂他們三位討論之後任命，報公司人力資源部備案就可以了。

任命宣布完畢。

熱烈的掌聲又響起來。

胡光凡抬手往下壓了壓，掌聲停息，他朗聲的道，「我們的IGBT設計研發中心成立了，今天晚上團建。」

聲音一落，歡呼聲響起來。

團建這樣的好事，每一個人都喜歡。

然後，胡光凡又拋出一顆重磅炸彈，「明天開始，我帶領大家開始第三代IGBT的設計研發。」

什麼！

老闆帶領我們搞研發！

還是第三代IGBT，不可能吧！

原本熱鬧的會議室一下子就安靜下來，大家目瞪口呆的看著胡光凡，嚴重以為自己耳朵聽錯了。

呂樂也不例外，不解的看著胡光凡。

胡光凡朗聲的道，「你們沒有錯，今天先放鬆一下，明天開始正式的設計研發。」

「散會！」

胡光凡一行人走出這間大會議室，然後，「轟」的一下整個會議室沸騰了。

「不會吧，快掐我一下，我是不是在做夢！」

「老闆這麼牛批的嗎，居然要帶領我們搞設計研發！」

「老闆估計太自信了，我們最少都是工程師，很多還是高級工程師！」

「第三代IGBT，老闆肯定是弄錯了，第一代IGBT還差不多。」

「......」

難怪大家反應這麼大。

這個世界的IGBT技術明顯比地球上要滯后很多，主流還是第一代IGBT技術，也就是剛將雙極型三極體和絕緣柵型場效應管組合在一起。

第一代IGBT雖然將兩者幾乎完美的結合在一起，但還是有一些缺陷。

第二代IGBT還停留在實驗室階段，一些超級大公司剛開始這一方面的研發，取得了不錯的進展，但距離實際大規模應用還有一定的距離。

胡光凡居然開始第三代IGBT的設計研發，難怪大家的反應這麼大。

沈靈月也有一點不解。

自從老闆說要進入IGBT領域之後，她也惡補了一些這方面的知識，知道第三代IGBT意味著什麼。

她心中想道，肯定是老闆搞錯了，應該是一代IGBT，或者是第三代雙極型三極體，或者是第三代絕緣柵型場效應管。

即使這樣，她對胡光凡越來越好奇了。

這難道是一個寶藏男孩，既懂企業經營，會賺錢，又懂技術，且還懂IGBT設計研發這樣的高端技術。

胡光凡可沒有去管大家怎麼去想，回到自己的辦公室之後就開始準備明天給大家講課需要的東西。

次日。

胡光凡一上班就出現在了IGBT設計研發團隊的大會議室，這個時候，自呂樂一下，五十幾名設計研發人員全部到位。

五十幾人，還是有一點少。

好在都是精英和骨幹，基本沒有工具人。

胡光凡心中想道，等再招聘一些精英和骨幹設計研發人員，工具人的招聘也要提上日程，起碼要陸續招聘三、五百工具人才行。

工具人的作用就是在精英設計研發人員的帶領和指導下繪製設計圖紙，干一些技術含量低，工作量大的活。

大家都目光炯炯的看著胡光凡。

每一個人很好奇，老闆會和大家講一些什麼，真的是IGBT設計研發上的東西嗎。

幾乎百分之百的人認為老闆不懂IGBT的設計研發，極少數的人認為老闆可能懂那麼一點點皮毛。

胡光凡可沒有管大家怎麼想，聲音洪亮，「各位，現在我開始給大家講第三代IGBT的設計研發。」

「我們將要設計的是第三代IGBT，而不是二代，更不是第一代......」

話還沒有說完，有一位設計研發人員實在忍不住了，站起來打斷道，「老闆，可是據我所知，現在各行各業廣泛應用是第一代IGBT，第二代IGBT還在研發階段，沒有廣泛的大量應用，確定我們真的是開始第三代IGBT的設計研發嗎。」

胡光凡非常肯定的道，「我已經說的很明白，就是第三代IGBT的設計研發，現在我來和大家講一講具體的第三代IGBT的具體的設計。」

說完，將自己準備好的設計圖紙掛了出來，展示在大家的面前。

「我們知道，現在的IGBT主要『貫通型』的設計結構，硅晶元比較厚，5微米到3微米不等.....」

簡單的說了第一代IGBT之後，胡光凡道，「第三代IGBT採用的是『非貫通型』的設計結構，採用硅干法刻蝕技術實現的新刻蝕工藝，硅晶元的重直結構也做了很大的改變......」

大家都是獃獃的！

這真的是第三代IGBT技術，首先設計理念就發生了翻天覆地的變化，從穿通（PT）型技術先進到非穿通（NPT）型技術，這是重大的概念變化。

胡光凡講的非常專業，也非常的詳細。

大家都是這一方面的專業人才，回過神來之後，漸漸的就聽懂了，彷彿一扇全新的大門被打開了。

胡光凡足足講了一上午，中間只休息了二十分鐘。

一個上午講完之後，胡光凡什麼時候離開的很多人都不知道，他們還沉浸在第三代IGBT的設計上，那些全新的設計結構，全新的設計理念，深深的震撼著他們，久久都未能回過神來。